[发明专利]基板湿式处理装置及包括其的单晶圆蚀刻清洗装置有效
| 申请号： | 201610051632.X | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN106997858B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴宗恩;王良元 | 申请（专利权）人： | 弘塑科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板湿式处理装置及包括其的单晶圆蚀刻清洗装置，其包括一旋转夹头、一传动主轴、一背洗座及至少一密封件。所述旋转夹头用于固持并旋转一基板。所述传动主轴连设于所述旋转夹头，用于驱动所述旋转夹头。所述背洗座设置于所述旋转夹头及所述传动主轴周围，所述背洗座设有一液体喷嘴，用于提供液体以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多个组件，其中两相邻组件之间具有一间隙。所述至少一密封件设置于每一间隙中，用于隔绝液体及气体的泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 基板湿式 处理 装置 包括 单晶圆 蚀刻 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种基板湿式处理装置，其特征在于，包括：/n旋转夹头，用于固持并旋转基板；/n传动主轴，连设于所述旋转夹头，用于驱动所述旋转夹头；/n背洗座，设置于所述旋转夹头及所述传动主轴周围，所述背洗座设有液体喷嘴，用于提供液体以清洗所述基板的底面，所述背洗座包括多个组件，其中两相邻组件之间具有一间隙；所述多个组件包括：/n主体，环设于传动主轴周围并位于旋转夹头下方；/n上压环，环设于所述主体周围，并与所述基板的所述底面相距一预定距离，其中所述上压环与所述主体之间具有一第一间隙；以及/n下压环，环设于所述主体周围，并设置于所述上压环下方，其中所述下压环与所述主体之间具有一第二间隙；/n所述主体于所述第一间隙处具有第一环沟，于所述第二间隙处具有第二环沟；/n机构区，所述机构区定义于所述传动主轴及的所述背洗座之下方；以及/n至少一密封件，设置于每一间隙中，用于隔绝液体及气体的泄漏，所述至少一密封件包括第一O形环及第二O形环，所述第一O形环及所述第二O形环分别设置于所述第一环沟及所述第二环沟中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
