[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610051823.6 | 申请日： | 2016-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN105870088A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 胡玉山 | 申请（专利权）人： | 东琳精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 须一平;居瓅 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一半导体封装结构及其制造方法，该半导体封装结构包含一芯片、一金属阻障层、一介电层、一第一金属籽晶层及一第二金属籽晶层。芯片具有一顶面、多个连接垫及一保护层，连接垫及保护层设置于顶面上，而保护层部分地覆盖连接垫；金属阻障层设置于各连接垫上；介电层设置于保护层及金属阻障层上，且具有多个贯穿槽，以使金属阻障层从介电层暴露出；第一金属籽晶层设置于介电层及暴露出的金属阻障层上；第二金属籽晶层设置于第一金属籽晶层上。藉此，金属阻障层可有效避免芯片的连接垫于制造过程中受到损害。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装结构，包含：一芯片，具有一顶面、多个连接垫及一保护层，所述连接垫及该保护层设置于该顶面上，而该保护层部分地覆盖所述连接垫；一金属阻障层，设置于各该连接垫上；一第一介电层，设置于该保护层及该金属阻障层上，且具有多个贯穿槽，以使该金属阻障层从该第一介电层暴露出；一第一金属籽晶层，设置于该第一介电层及暴露出的该金属阻障层上；以及一第二金属籽晶层，设置于该第一金属籽晶层上。
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