[发明专利]一种背照式传感器的制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式传感器的制备方法，通过按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成金属栅格层、第一氧化层和阻挡层，并于刻蚀形成若干金属栅格的工艺后，形成上表面与阻挡层上表面齐平的第二氧化层，之后移除阻挡层和位于第一氧化层之上的第二氧化层，以形成位于金属栅格层上表面的具有均一厚度的氧化层，减小了入射光损耗的差异性，从而可以消除背照式传感器晶圆外观的颜色异常和提升成像质量。

主权项

1.一种背照式传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一具有正面和背面的半导体衬底，且所述半导体衬底中形成有若干光电二极管；按照从下至上的顺序依次于所述半导体衬底的背面上方形成金属栅格层、第一氧化层和阻挡层；按照从上至下的顺序依次刻蚀阻挡层、第一氧化层和金属栅格层以于所述半导体衬底的背面上方形成上表面具有第一氧化层和阻挡层的若干金属栅格；于所述半导体衬底的背面上方形成第二氧化层，所述第二氧化层上表面与所述阻挡层平齐，且充满相邻所述金属栅格之间的空隙；去除所述阻挡层和位于所述第一氧化层之上的第二氧化层。