[发明专利]一种晶体生长方法和设备

摘要

本发明公开了一种晶体生长方法，包括S1：捕获下晶温度；S2：使坩埚温度达到步骤S1中下晶温度；S3：根据坩埚温度以及籽晶质量变化进行下晶操作；具体的，对盛放晶体材料的坩埚进行加热，使其以一定升温速率恒速升温至目标温度；获取升温过程中的坩埚温度随时间变化所形成的曲线，选取曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度；使坩埚温度达到下晶温度；缓慢下移籽晶；当籽晶质量发生变化时，继续缓慢下移达到下晶深度；根据籽晶质量变化微调坩埚温度。本发明的晶体生长方法，可利用升温过程中温度随时间变化曲线获取晶体准确下晶温度；并且避免在下晶过程中由保温系统的温度梯度对籽晶造成热冲击，根据籽晶质量变化随时调整适合的温度。

主权项

1.一种晶体生长设备，其特征在于：包括炉壳、保温装置、坩埚、籽晶杆、加热装置、上重量传感器和/或下重量传感器、控制装置；所述炉壳为中空壳体，所述保温装置设置于炉壳内，所述加热装置和坩埚设置于保温装置内，所述加热装置对所述坩埚加热，所述控制装置分别与所述籽晶杆、加热装置、上重量传感器和/或下重量传感器电连接；所述控制装置获得加热装置的实时加热温度，并绘制温度随时间变化的温度曲线，选取温度曲线中斜率最大的点对应的温度为下晶温度；并且所述控制装置检测籽晶质量增减速度，并根据籽晶的增减速度控制加热装置对坩埚的加热以及籽晶杆的上移、下移或旋转；所述晶体生长设备还包括一对流控制装置，所述对流控制装置包括对流控制器、风机、输气通道和调压器；所述对流控制器中心为镂空结构，其设置有以对流控制器轴线中心对称的第一进气口和第二进气口；所述风机通过输气通道分别与第一进气口和第二进气口连接；所述调压器与风机电连接；所述对流控制装置的对流控制器设置于炉壳内部的保温装置的上方，所述籽晶杆分别穿过对流控制器和保温装置的上方。