[发明专利]一种新型分布式存储缓存加速方法在审
| 申请号： | 201610056765.6 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107015758A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 胡敏 | 申请（专利权）人： | 胡敏 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙市天心区湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明专利涉及一种新型分布式存储缓存加速方法，该方法是通过分布式存储节点内安装NVDIMM缓存，所有的数据通过NVDIMM缓存进行读写性能优化，可将随机的小块随机数据合并起来进行顺序的写入到后端磁盘存储，同时分布式节点间的数据也通过各节点的NVDIMM缓存间进行数据的同步，以提升数据同步的效率和性能，该方法利用NVDIMM缓存的高性能，以及NVDIMM有超级电容供电续电的特点，充分的提升了分布式存储的性能、且保护了数据在缓存内的安全，该方法的特征是要求分布式存储节点平台需支持NVDIMM产品和技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 分布式 存储 缓存 加速 方法 | ||
【主权项】：
一种新型分布式存储缓存加速方法，其特征在于，该方法中的分布式存储节点1(12a)内需安装配置NVDIMM缓存(10a)，分布式存储节点2(12b)内需安装配置NVDIMM缓存(10b)，分布式存储节点3(12c)内需安装配置NVDIMM缓存(10c)，同时NVDIMM缓存(10a)需配备超级电容(13a)，NVDIMM缓存(10b)需配备超级电容(13ab)，NVDIMM缓存(10c)需配备超级电容(13c)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡敏，未经胡敏许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610056765.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示器USB接口自动测试装置
- 下一篇：一种电器安全性能测试设备
