[发明专利]一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法有效
| 申请号： | 201610058397.9 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105699410B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 李桂花;仝金雨;刘君芳;郭伟;李品欢 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 失效点 分析样品 电子束照射 发亮 预处理 失效分析 无损 切割 高精度定位 金属互连层 定位过程 循环执行 去除 裸露 观察 | ||
【主权项】：
1.一种GOI失效点无损定位方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。
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