[发明专利]一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法

摘要

一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。

主权项

一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，其特征在于它是按以下步骤完成的：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷：将SiC粉体加入莰烯中，再加入聚碳硅烷，在温度为60℃恒温球磨5h～20h，然后转移至冷冻干燥机中进行冷冻和真空干燥24h～48h，即得到多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；步骤一中所述的SiC粉体与莰烯的体积比为(1～4):20；步骤一中所述的SiC粉体与聚碳硅烷的质量比为20:(1～5)；二、热处理：将多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷装入瓷方舟中，再将瓷方舟放入管式炉中，以50mL/min～400mL/min流速持续通入氮气，使管式炉内处于氮气保护，然后以1℃/min～10℃/min升温速度从室温升温至温度为1300～1500℃，并在温度为1300～1500℃的条件下保温1h～6h，然后再以1℃/min～10℃/min降温速度从温度为1300～1500℃降至温度为500℃，再随炉冷却至室温，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线。