[发明专利]一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器

摘要

本发明涉及一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器，采用具有高相位噪声性能的LC交叉耦合结构振荡器，并基于差分结构设计的自举型缓冲器，利用自举电路的原理，通过充电晶体管对自举电容充放电，在电源电压的基础上进行电压量叠加，从而将DCO振荡电路的输出信号进行放大，使输出摆幅达到两倍以上的电源电压值，在保证低功耗的前提下，提高了DCO振荡电路的相位噪声性能，解决了近阈值电源电压下DCO振荡电路功耗与相位噪声之间的矛盾关系。

主权项

1.一种工作在近阈值电源电压下的数控振荡器，其特征在于：包括DCO振荡电路和自举型缓冲器，其中，DCO振荡电路的两个输入端分别外接输入电流与调谐控制字OTW；DCO振荡电路的DCOp差分振荡信号输出端与自举型缓冲器的DCOp差分振荡信号输入端相连接，DCO振荡电路的DCOn差分振荡信号输出端与自举型缓冲器的DCOn差分振荡信号输入端相连接；其中，自举型缓冲器包括第一PMOS晶体管Mp1、第二PMOS晶体管MP2、第三PMOS晶体管MP3、第四PMOS晶体管MP4、第一NMOS晶体管MN1、第二NMOS晶体管MN2、第三NMOS晶体管MN3、第四NMOS晶体管MN4、第一自举电容CP1、第二自举电容CP2、第三自举电容CN1和第四自举电容CN2，其中：自举型缓冲器的DCOp差分振荡信号输入端分别接第二自举电容CP2的上极板、第三自举电容CN1的上极板、第二PMOS晶体管MP2的栅极和第二NMOS晶体管MN2的栅极；自举型缓冲器的DCOn差分振荡信号输入端分别接第一自举电容CP1的上极板、第三自举电容CN1的上极板、第四PMOS晶体管MP4的栅极和第四NMOS晶体管MN4的栅极；第一PMOS晶体管Mp1的源极接电源Vdd；第一PMOS晶体管Mp1的漏极与第一自举电容CP1的下极板、第二PMOS晶体管MP2的源极相连接；第二PMOS晶体管MP2的漏极与第二NMOS晶体管MN2的漏极相连接；第二NMOS晶体管MN2的源极与第三自举电容CN1的下极板、第一NMOS晶体管MN1的漏极相连接；第一NMOS晶体管MN1的源极接地；第三PMOS晶体管MP3的源极接电源Vdd；第三PMOS晶体管MP3的漏极与第二自举电容CP2的下极板、第四PMOS晶体管MP4的源极相连接；第四PMOS晶体管MP4的漏极与第四NMOS晶体管MN4的漏极相连接；第四NMOS晶体管MN4的源极与第四自举电容CN2的下极板、第三NMOS晶体管MN3的漏极相连接；第三NMOS晶体管MN3的源极接地；第一PMOS晶体管Mp1的栅极作为自举型缓冲器的OUTn差分振荡信号输出端，并与第一NMOS晶体管MN1的栅极、第四PMOS晶体管MP4的漏极、第四NMOS晶体管MN4的漏极相连接；第三PMOS晶体管MP3的栅极作为自举型缓冲器的OUTp差分振荡信号输出端，并与第三NMOS晶体管MN3的栅极、第二PMOS晶体管MP2的漏极、第二NMOS晶体管MN2的漏极相连接。