[发明专利]耐等离子刻蚀陶瓷体及其制造方法、等离子刻蚀设备有效
申请号: | 201610061677.5 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105777079B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 向其军;谭毅成;林勇钊 | 申请(专利权)人: | 深圳市商德先进陶瓷股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种耐等离子刻蚀陶瓷体及其制备方法和等离子刻蚀设备。本发明耐等离子刻蚀陶瓷体由氧化铝粉体模压成型处理后进行烧制获得,其中,所述氧化铝粉体中含有不可避免的杂质成分,且所述杂质成分的质量含量为不大于0.001%。本发明耐等离子刻蚀陶瓷体耐等离子腐蚀性能高,其制备方法能够使得制备的耐等离子刻蚀陶瓷体耐等离子腐蚀性能高,尺寸稳定,密度高。本发明等离子刻蚀设备的刻蚀腔体内设有本发明耐等离子刻蚀陶瓷体构成的氧化铝陶瓷部件。因此,氧化铝陶瓷部件耐等离子腐蚀性能好,使得刻蚀得到的晶圆良率高,而且有效延长了氧化铝陶瓷部件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 等离子 刻蚀 陶瓷 及其 制造 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种耐等离子刻蚀陶瓷体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:获取纳米氧化铝粉体;所述氧化铝粉体中含有不可避免的杂质成分,且所述杂质成分的质量含量不大于0.001%,或所述氧化铝的质量含量不低于99.999%;将所述纳米氧化铝粉体进行模压处理后置于保护性气氛中进行烧结处理;所述氧化铝粉体的平均粒度为200纳米,所述模压处理的条件为:采用高速压制成型的方法,所述高速压制成型的压制压力为650‑1000MPa,压制速度为5‑9m/s,且经过多次连续压制,相邻两次的所述压制间隔时间为0.3‑0.5秒;所述模压处理所用的模具内壁或内壁以及上、下模冲头涂布有润滑剂;所述烧结处理的温度为1500‑1700℃下,时间为2‑5小时。
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