[发明专利]沟槽型超级结的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型超级结的制造方法，先在硅片的N型外延层中采用简便的刻蚀工艺形成倾斜的深沟槽，通过在深沟槽刻蚀完成后淀积一层角度修正膜层，在深沟槽侧壁形成一层保护膜层，利用填充性能较差的角度修正膜层在侧壁上形成的上厚下薄的特点，通过P型离子注入，将改善后较为垂直的P型柱形貌保持在N型外延层中，然后再取出该角度修正膜层，进行正常的P型外延填充，使得P型柱的最终形貌变得垂直，有利于反向击穿电压BV的改善，而又不会带来P型外延填充难度的提升。 1

主权项

1.一种沟槽型超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：一.在硅片的N型外延层表面形成ONO介质层；二.利用光刻先定义出深沟槽的图形，然后利用干法刻蚀将所述ONO介质层刻开；之后去除光刻胶，利用ONO介质层作为硬掩膜进行深沟槽的刻蚀，深沟槽上宽下窄，深沟槽的侧壁同硅片表面的夹角在87～89.5度之间；之后淀积角度修正膜层，在深沟槽侧壁上形成上厚下薄的角度修正膜层；三.分别对深沟槽两侧的侧壁进行倾斜P型离子注入；四.去除角度修正膜层及ONO介质层的上部氧化层及氮化层，保留ONO介质层的下部氧化层；五.利用外延填充工艺,在所述深沟槽中填充P型外延层；之后去除深沟槽外部的P型外延层，去除ONO介质层的下部氧化层；六.利用后续工艺流程汇总的热过程激活步骤三注入的P型离子。