[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201610064675.1 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN105679908B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/40;H01L33/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光器件。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，该第一电极电连接到第一导电类型半导体层；在发光结构层下面的绝缘支撑构件；以及在发光结构层和绝缘支撑构件之间的多个导电层。多个导电层中的至少一个具有大于发光结构层的宽度的宽度并且包括接触部分，该接触部分被布置为从发光结构层的侧壁进一步向外。 | ||
| 搜索关键词： | 发光结构层 第一导电类型 半导体层 发光器件 导电类型半导体层 绝缘支撑构件 第一电极 导电层中 导电层 电连接 侧壁 源层 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；第一电极，所述第一电极被电连接到所述第一导电类型半导体层；支撑构件，所述支撑构件在所述发光结构层下面；以及多个导电层，所述多个导电层在所述发光结构层和所述支撑构件之间，其中，所述多个导电层包括在所述第二导电类型半导体层下面的第一导电层、在所述第一导电层下面的第二导电层、在所述第二导电层下面的第三导电层、以及在所述第三导电层下面的第四导电层；其中，所述支撑构件被布置在所述第四导电层下面，其中，所述第三导电层包括第一接触部分和第二接触部分，所述第一接触部分接触第二导电类型半导体层的下表面，所述第二接触部分被布置为进一步从所述发光结构层的侧壁向外，其中，所述第三导电层的第二接触部分被布置在所述发光结构层的下表面周围，以及其中，所述第一接触部分接触具有比所述第一导电层的接触电阻大的接触电阻的第二导电类型半导体层。
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