[发明专利]一种极高靶材利用率的镀膜设备

摘要

本发明提供一种极高靶材利用率的镀膜设备，涉及一种真空溅射镀膜技术领域。该发明包括真空室，其中，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，管状靶材设置在真空室内，偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源均设置在真空室外，管状靶材上缠绕有水冷线圈，管状靶材的上方设置有第一工件台，管状靶材的下方设置有第二工件台，偏压电源与第一工件台连接，直流线圈电源与水冷线圈连接，镀膜电源与管状靶材连接。本发明极大提高靶材利用率，提高镀膜速率，同时通过电磁线圈产生的磁场束缚电子运动轨迹，使电子与膜材离子的运动路径延长，进一步增加电子与膜材原子或分子碰撞几率，从而提高离化率。

主权项

一种极高靶材利用率的镀膜设备，包括真空室，其特征在于，还包括管状靶材、偏压电源、直流线圈电源和镀膜电源，所述管状靶材设置在所述真空室内，所述偏压电源、所述直流线圈电源和所述镀膜电源均设置在所述真空室外，所述管状靶材上缠绕有水冷线圈，所述管状靶材的上方设置有第一工件台，所述管状靶材的下方设置有第二工件台，所述偏压电源与所述第一工件台连接，所述偏压电源通过所述第一工件台向样品加载负偏压，所述管状靶材内部的电子受电场的作用加速向样品运动，所述直流线圈电源与所述水冷线圈连接，所述直流线圈电源与所述线圈水冷系统开启后施加与电场方向正交的磁场，电子在电场力与洛伦兹力的共同作用下在管内做螺旋运动，所述镀膜电源与所述管状靶材连接，开启所述镀膜电源，向所述管状靶材施加一个大于样品的负偏压，使Ar+加速向管壁轰击，将靶材原子溅射出来。