[发明专利]闪存存储器及其制作方法

摘要

本发明公开一种闪存存储器及其制作方法。闪存存储器包含一堆叠栅极设置一基底上，堆叠栅极包含一抹除栅极以及二浮置栅极，各个浮置栅极具有一锐角指向抹除栅极，浮置栅极的锐角位置会形成较高的电场，使得闪存存储器在较低的操作电压下，依然可进行抹除模式，另外本发明的闪存存储器不需利用控制栅极进行写入模式。

主权项

一种闪存存储器的制作方法，包含：提供一基底其上依序覆盖有一第一氧化层、一第一多晶硅层、一第二氧化层和一图案化掩模，其中该图案化掩模具有二开口使得该第二氧化层由各该开口曝露出来；以该图案化掩模为掩模移除部分的该第二氧化层和该第一多晶硅层，以在该第一多晶硅层中形成二个第一沟槽，其中该多个第一沟槽各包含一侧壁，该多个侧壁不和该基底的上表面垂直；形成一第三氧化层填入该多个第一沟槽以及该多个开口，并且使得该第三氧化层的上表面和该图案化掩模的上表面切齐；完全移除该图案化掩模以及位于该图案化掩模正下方的该第二氧化层和该第一多晶硅层以形成一第二沟槽，并且使得剩余的该第一多晶硅层和剩余的该第三氧化层共同构成二个堆叠结构，其中在各该堆叠结构中的该第一多晶硅层包含二个锐角；移除部分的该堆叠结构中的该第三氧化层以扩大该第二沟槽并且使得在各该堆叠结构中的各该锐角完全曝露出来；形成一第四氧化层顺应地覆盖该多个锐角；形成一第二多晶硅层填入该第二沟槽；.在各该堆叠结构中各形成一第三沟槽穿透该第三氧化层和该第一多晶硅层；形成一第五氧化层覆盖该第二多晶硅层和该第一多晶硅层；形成二第三多晶硅层分别填满各该第三沟槽；以及形成二第四沟槽穿透各该第三多晶硅层。