[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池在审
| 申请号： | 201610065201.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105552170A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 佛山市聚成生化技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528051 广东省佛山市禅城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法及由该方法制备的太阳能电池，该方法包括按照质量比为1：(0.5-10)，将掺硼硅片放入质量分数为1-5％的卤化稀土的溶液中，在密闭的反应釜中150-300摄氏度下进行浸渍反应12-120小时，得到掺硼和稀土的硅片；将所述掺硼和稀土的硅片在650-850℃摄氏度下进行磷扩散1-12小时，得到掺稀土的PN结硅片；将所述掺稀土的PN结硅片与银电极的正电极、银电极的负电极构成背接触太阳能电池。本发明太阳能电池的光电转化效率为14-24％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：将掺硼硅片放入卤化稀土的溶液中在密闭的150‑300摄氏度下进行浸渍反应12‑120小时，得到掺硼和稀土的硅片；将所述掺硼和稀土的硅片进行磷扩散，得到掺稀土的PN结硅片；将所述掺稀土的PN结硅片与正电极、负电极构成太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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