[发明专利]三轴AMR磁力传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201610065775.6 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105655484A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 曹苗苗;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三轴AMR磁力传感器的制造方法，包括步骤：步骤一、在衬底上形成第一绝缘层；步骤二、在第一绝缘层中形成沟槽；步骤三、形成第二侧壁修复层对沟槽的表面损伤进行修复；步骤四、形成第三介质隔离层；步骤五、形成具有各向异性磁电阻的磁性材料层；步骤六、对磁性材料层进行光刻刻蚀形成三轴AMR磁力传感器。本发明通过在沟槽刻蚀之后增加了一步对沟槽的底部表面和侧面损伤进行修复的工艺，能增加沟槽侧面的光滑度，使得后续形成于沟槽侧面的Z轴AMR磁力传感器的特性得到改善，能以较低工艺成本改善Z轴AMR磁力传感器的磁性。 | ||
| 搜索关键词： | amr 磁力 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三轴AMR磁力传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在衬底上形成第一绝缘层；步骤二、采用光刻刻蚀工艺在所述第一绝缘层中形成沟槽，后续Z轴AMR磁力传感器会形成于所述沟槽中；步骤三、在所述沟槽的底部表面、侧面以及所述沟槽外的所述第一绝缘层表面形成第二侧壁修复层，通过形成所述第二侧壁修复层对步骤二的刻蚀工艺在所述沟槽的侧壁表面和底部表面造成的损伤进行修复，从而提高所述沟槽的侧壁表面和底部表面光滑度并使后续形成于所述沟槽的侧壁表面的所述Z轴AMR磁力传感器的磁性改善；步骤四、在所述沟槽的底部表面、侧面以及所述沟槽外的所述第二侧壁修复层表面形成第三介质隔离层；步骤五、在所述第三介质隔离层表面形成具有各向异性磁电阻的磁性材料层；步骤六、采用光刻刻蚀工艺对所述磁性材料层进行刻蚀并同时形成三轴AMR磁力传感器的X轴AMR磁力传感器、Y轴AMR磁力传感器和Z轴AMR磁力传感器,所述X轴AMR磁力传感器和所述Y轴AMR磁力传感器位于所述沟槽外的所述第三介质隔离层表面，所述Z轴AMR磁力传感器位于所述沟槽侧壁的所述第三介质隔离层表面。
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