[发明专利]化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法

摘要

本发明公开了一种化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，包括如下步骤步骤1，利用化学机械抛光工艺将半导体集成电路中浅沟槽隔离形成的氧化层磨平至氮化层；步骤2，在半导体集成电路的氮化层表面形成光刻胶阻挡层，利用光刻、刻蚀在单元区域内形成注入工艺层，同时利用光刻和刻蚀工艺在光刻对准标记区域打开前层的光刻对准标记。本发明形成光刻对准标记的方法不需要单独增加直接打开光刻对准标记的工艺，而是利用单元区域中形成后道注入层所需的光刻、刻蚀工艺同时打开前层的光刻对准标记，不但可以获得良好的光刻对准标记，改善后续光刻工艺的对准精度，而且简化了制作工艺，降低了生产成本。

主权项

一种化学机械抛光工艺后光刻对准标记的制作方法，其特征在于，在半导体集成电路的单元区域进行光刻、刻蚀形成注入工艺层时，利用光刻和刻蚀在半导体集成电路的光刻对准标记区域打开前层的光刻对准标记；具体包括如下步骤：步骤1，利用化学机械抛光工艺将半导体集成电路中浅沟槽隔离形成的氧化层磨平至氮化层；步骤2，在半导体集成电路的氮化层表面形成光刻胶阻挡层，利用光刻、刻蚀在单元区域内形成注入工艺层，同时利用光刻和刻蚀工艺在光刻对准标记区域打开前层的光刻对准标记；步骤3，去除单元区域和光刻对准标记区域的氮化层，在半导体集成电路表面先淀积介质膜，再淀积多晶硅，形成后续光刻工艺使用的对准标记。