[发明专利]IGBT中形成电荷存储层的方法在审
| 申请号： | 201610065806.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105702578A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 马彪;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT中形成电荷存储层的方法，包括：第一步，选择N型掺杂的衬底；第二步，在衬底的正面生长第一N型外延层；第三步，在第一N型外延层上生长第二N型外延层，所述第二N型外延层与第一N型外延层组成N型掺杂的电荷存储层，且第二N型外延层的电阻率大于第一N型外延层的电阻率。本发明利用外延方式通过在衬底上依次生长一低电阻率外延和一高电阻率外延的方法形成均匀集中的电荷存储层，不需要高能注入设备，只需将注入离子打入硅片表层即可，而且形成的电荷存储层不需要进行推阱，电荷存储层比较集中，同时有利于器件的调整优化。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 形成 电荷 存储 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT中形成电荷存储层的方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，选择N型掺杂的衬底；第二步，在所述衬底的正面生长第一N型外延层；第三步，在所述第一N型外延层上生长第二N型外延层，所述第二N型外延层与第一N型外延层组成N型掺杂的电荷存储层，且第二N型外延层的电阻率和厚度均大于第一N型外延层的电阻率和厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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