[发明专利]超级结器件在审
| 申请号： | 201610065836.9 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN105679830A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件，在N型外延中具有P柱和体区，所述P柱位于体区的下方，P柱呈平行沟槽型；体区之间的区域为JFET区域，外延表面具有栅极，所述栅极位于体区之间的硅表面，并且栅极与P柱在平面的投影是呈垂直相交的状态。本发明通过新的栅极与P柱沟槽的相对位置，在能缩小P柱沟槽间距的同时，保持沟道足够的长度，以及沟道间JFET区域的大小，保证MOSFET管的正常沟道开启特性，得到较小的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 器件 | ||
【主权项】：
一种超级结器件，其特征在于：在N型外延中具有P柱和体区，所述P柱位于体区的下方，P柱呈平行沟槽型；体区之间的区域为JFET区域，外延表面具有栅极，所述栅极位于体区之间的硅表面，并且栅极与P柱在平面的投影是呈垂直相交的状态。
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