[发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构在审
| 申请号： | 201610067264.8 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106601630A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 苏威硕 | 申请（专利权）人： | 碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人： | 薛晓伟 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括多个金属柱、至少一芯片、一封胶体、一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层，该封胶体包覆该金属柱及该芯片，多个该金属柱均匀地分布在该芯片的周围，该线路重置层形成于该封胶体的一侧，该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电性连接，该芯片的一表面与该绝缘层共平面。本发明还涉及一种芯片封装方法。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片封装方法，其包括步骤：第一步，提供一承载基板；第二步，在该承载基板上形成多个金属柱及安装至少一个芯片，多个该金属柱分布在该至少一个芯片的周围；第三步，形成一封胶体，该封胶体包覆多个该金属柱及该至少一个芯片；第四步，去除该承载基板，形成一封装基板；及第五步，在该封胶体的一侧形成一线路重置层及一包覆该线路重置层的绝缘层；该线路重置层与至少部分该金属柱及该芯片电连接，该芯片的一表面与该绝缘层共平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
