[发明专利]一种阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201610068636.9 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105655355A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张占东 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在衬底上沉积包括非晶硅的有源层；在所述有源层上覆盖SiOx薄膜；将所述有源层中的非晶硅转化为多晶硅；对所述有源层进行蚀刻处理，以形成图形；将离子注入所述有源层；清洗去除所述SiOx薄膜。本发明先在有源层上覆盖SiOx薄膜，然后再进行非晶硅到多晶硅的转化、有源层蚀刻、离子注入过程，并在离子注入所述有源层后，除去所述SiOx薄膜，使得有源层在加工过程中始终处于薄膜覆盖状态，达到降低有源层污染的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上沉积包括非晶硅的有源层；在所述有源层上覆盖SiOx薄膜；将所述有源层中的非晶硅转化为多晶硅；对所述有源层进行蚀刻处理，以形成图形；将离子注入所述有源层；清洗去除所述SiOx薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
