[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，利用化学气相沉积方法来形成N型重掺杂非晶硅层，节省一道离子掺杂的制程，且多晶硅层的图形化处理与N型重掺杂非晶硅层的图形化处理采用相同的光罩，从而节省一道光罩，降低生产成本；栅极绝缘层的厚度均匀，可有效提高TFT元件的信赖性并改善Hump现象；由于第一、第二N型重掺杂非晶硅层中掺杂的离子浓度均匀，从而避免出现过孔处源/漏极与第一、第二N型重掺杂非晶硅层的接触阻抗过大的问题，提升TFT元件特性。本发明的低温多晶硅TFT基板，制程简单，制作成本低，且TFT器件性能优异。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上形成缓冲层(20)，利用化学气相沉积方法在所述缓冲层(20)上沉积一N型重掺杂非晶硅层(30)，利用一道光罩，采用正型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述N型重掺杂非晶硅层(30)进行图形化处理，得到位于两侧的第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第二N型重掺杂非晶硅层(32)；步骤2、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)上沉积一非晶硅层，采用低温结晶工艺将所述非晶硅层转化为多晶硅层(40)，利用与所述步骤1相同的光罩，采用负型光阻通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层(40)进行图形化处理，得到位于所述第一N型重掺杂非晶硅层(31)与第二N型重掺杂非晶硅层(32)之间的多晶硅段(41)；步骤3、在所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)、及多晶硅段(41)上沉积栅极绝缘层(50)，在所述栅极绝缘层(50)上形成对应于多晶硅段(41)上方的栅极(60)；然后利用栅极(60)为光罩对所述多晶硅段(41)的两侧进行N型轻掺杂，得到第一N型轻掺杂多晶硅层(42)、第二N型轻掺杂多晶硅层(43)、及位于所述第一、第二N型轻掺杂多晶硅层(42、43)之间的未掺杂多晶硅层(44)；步骤4、在所述栅极(60)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间绝缘层(70)，并在所述层间绝缘层(70)及栅极绝缘层(50)上形成对应于所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)上方的过孔(71)，在所述层间绝缘层(70)上形成源/漏极(80)，所述源/漏极(80)经由过孔(71)与所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)相接触；所述第一、第二N型重掺杂非晶硅层(31、32)、第一、第二N型轻掺杂多晶硅层(42、43)、及未掺杂多晶硅层(44)的厚度相同，从而构成一平坦层，使得在该平坦层上沉积的栅极绝缘层(50)的厚度均匀。