[发明专利]阵列基板及阵列基板的制备方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及阵列基板的制备方法。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的多个栅极线、多个数据线及多个公共电极线，基板包括第一表面，栅极线间隔排布在第一表面上且与间隔排布数据线通过第一绝缘层绝缘设置，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间为像素区域，阵列基板还包括设置在像素区域内的薄膜晶体管、公共电极及像素电极，薄膜晶体管包括栅极、沟道层、源极及漏极，栅极及公共电极设置在第一表面上，公共电极与栅极平行、与公共电极线电连接且为透明导电层，沟道层、源极、漏极及像素电极设置在第一绝缘层上，且源极与漏极设置在沟道层相对的两端，像素电极与公共电极对应且与漏极电连接。

主权项

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个栅极线、多个数据线及多个公共电极线，所述基板包括第一表面，所述多个栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个数据线与所述多个栅极线通过第一绝缘层绝缘设置，且所述多个数据线向所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布，所述多个公共电极线与所述多个栅极线平行，一个公共电极线设置于相邻的两个栅极线之间，所述公共电极线与所述数据线通过所述第一绝缘层绝缘设置，所述公共电极线邻近所述第一表面设置，且所述公共电极线为金属层，相邻的两条栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的薄膜晶体管、公共电极及像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、所述第一绝缘层、沟道层、源极及漏极，所述栅极设置在所述第一表面上，所述公共电极与所述公共电极线电连接，且所述公共电极设置在所述第一表面上，所述公共电极为透明导电层，所述公共电极线设置在公共电极上且与所述公共电极电连接，所述沟道层、所述源极及所述漏极设置在所述第一绝缘层上且所述源极与所述漏极设置在所述沟道层相对的两端，所述像素电极设置在所述第一绝缘层上且与所述公共电极对应，且所述像素电极与所述漏极电连接，一第二绝缘层覆盖所述沟道层、所述源极、所述漏极、所述像素电极及所述数据线，所述像素电极为金属，所述像素电极呈梳状，包括本体部以及自所述本体部的同侧延伸出来的多个间隔设置的子像素电极，所述像素电极用于反射入射至所述像素电极的光线，且在一个像素区域内：所述像素电极在所述基板上的投影落入所述公共电极在所述基板的投影范围内。