[发明专利]电阻式随机存取内存及其制造方法在审
| 申请号： | 201610069955.1 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN106803533A | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 谢明宏 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取内存及其制造方法，包括第一电极、第二电极、可变电阻氧化物层、硬掩膜层以及氢阻挡层。第一电极配置于基底上。第二电极配置于第一电极与基底之间。可变电阻氧化物层配置于第一电极与第二电极之间。硬掩膜层配置于第一电极上。氢阻挡层配置于硬掩膜层与第一电极之间。本发明具有位于硬掩膜层与可变电阻氧化物层之间的氢阻挡层，上述的氢阻挡层可防止硬掩膜层中的氢离子扩散至可变电阻氧化物层，有助于避免尾端位效应的产生，并且能够增进电阻式随机存取内存的高温数据保持特性、耐久性以及产率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取 内存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取内存，其特征在于，包括：第一电极，配置于基底上；第二电极，配置于所述第一电极与所述基底之间；可变电阻氧化物层，配置于所述第一电极与所述第二电极之间；硬掩膜层，配置于所述第一电极上；以及氢阻挡层，配置于所述硬掩膜层与所述第一电极之间。
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