[发明专利]具有复合金属镀层的电子元件中各镀层厚度的测量方法有效
申请号: | 201610069964.0 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN105444706B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 刘磊;吕宏峰;王小强;牛付林;卢思佳 | 申请(专利权)人: | 工业和信息化部电子第五研究所 |
主分类号: | G01B15/02 | 分类号: | G01B15/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 郑彤 |
地址: | 510610 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明一种具有复合金属镀层的电子元件中各镀层厚度的测量方法,包括如下步骤(1)制备培养基片;(2)确定材质为M的金属镀层的影响因子Δ;(3)测量。本发明的方法可以实现对电子元件中复合金属镀层厚度的准确测量,特别是当电子元件的复合金属镀层中包含2个材质相同的金属镀层的情况,测量方法简便、成本低,结果重现性好。 | ||
搜索关键词: | 具有 复合 金属 镀层 电子元件 厚度 测量方法 | ||
【主权项】:
一种具有复合金属镀层的电子元件中各镀层厚度的测量方法,其特征在于,包括如下步骤:所述电子元件的复合金属镀层包括n层依次层叠于基材层上的金属镀层,且至少有两个所述金属镀层的材质M相同,n≥3;(1)制备培养基片在所述电子元件的样品的制备中,将n个培养基片与所述电子元件的样品一起进行电镀操作,每电镀一层金属镀层,取出一个培养基片;(2)确定材质为M的金属镀层的影响因子Δ所述材质为M的金属镀层包括靠近基材层的第一M金属镀层和远离基材层的第二M金属镀层,采用x射线荧光测厚仪测得对应的培养基片的第一M金属镀层的厚度为x1;采用x射线荧光测厚仪测得所述电子元件的样品中材质为M的金属镀层的总厚度x0;在所述电子元件的样品表面再电镀一层金属保护膜,采用切片法测量所述第二M金属镀层的实际厚度为y;所述影响因子Δ=y/(x0‑x1);(3)待测样品的测量待测样品中第二M金属镀层的厚度b的测量方法如下:采用x射线荧光测厚仪测得所述待测样品的第一M金属镀层的厚度为a1;采用x射线荧光测厚仪测得所述待测样品中材质为M的金属镀层的总厚度a0;b=Δ(a0‑a1)。
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