[发明专利]复合压电芯片和压电传感器有效
| 申请号： | 201610070724.2 | 申请日： | 2016-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN105702850A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 聂泳忠;黄元庆 | 申请（专利权）人： | 聂泳忠;黄元庆 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/083;H01L41/18;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及复合压电芯片和压电传感器。复合压电芯片包括：多个层，其中多个层包括至少一个第一层和至少一个第二层，第一层的压电系数随温度升高而降低，并且第二层的压电系数随温度升高而升高。根据本公开的复合压电芯片和压电传感器，能够使得压电传感器在全温度下具有较小的灵敏度漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 压电 芯片 传感器 | ||
【主权项】：
一种复合压电芯片，该压电芯片包括：多个层，其中所述多个层包括至少一个第一层和至少一个第二层，所述第一层的压电系数随温度升高而降低，并且所述第二层的压电系数随温度升高而升高。
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