[发明专利]一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管有效
申请号: | 201610071186.9 | 申请日: | 2016-02-01 |
公开(公告)号: | CN105720204B | 公开(公告)日: | 2018-03-09 |
发明(设计)人: | 曾海波;李建海;董宇辉;宋继中;许蕾梦;薛洁 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人: | 邹伟红 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管,包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层,之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面,然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层,再热蒸发沉积空穴注入层,最后沉积阳极电极材料。本发明的发光二极管可调节量子点发光层材料的卤素配比覆盖可见光范围,发光稳定且发光效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 无机 钙钛矿 量子 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管,其特征在于,包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料,所述的CsPbX3量子点中的X为Cl、Br、I元素或者任意二者组合,所述的空穴注入层为MoO3或WO3,阳极电极材料为Au,通过以下步骤制备:步骤1,在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层;步骤2,取CsPbX3量子点的分散液旋涂在经步骤1处理后的器件表面;步骤3,于步骤2旋涂后的表面热蒸发沉积TCTA空穴传输层,然后热蒸发沉积空穴注入层,最后沉积阳极电极材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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