[发明专利]一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉及其制备方法有效
申请号: | 201610071516.4 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN105442042B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 张学日;雷琦;何亮;胡动力 | 申请(专利权)人: | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 338000 江西省新余*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉,包括坩埚、围绕在所述坩埚外壁四周且与所述坩埚外壁紧密接触的护板以及盖住所述护板围成的口部的盖板,所述护板远离坩埚的外表面和所述盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层。所述涂层能与铸锭炉中的碳反应,能够降低铸锭炉中的碳含量,从而降低进入多晶硅锭中碳的含量。本发明还提供了一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉的制备方法,通过在所述护板的外表面和盖板外表面刷涂或喷涂能与碳反应的涂层,从而降低铸锭炉中的碳含量,制备方法简单易操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 减少 多晶 硅锭碳 含量 铸锭 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于减少多晶硅锭碳含量的铸锭炉,其特征在于,包括坩埚、围绕在所述坩埚外壁四周且与所述坩埚外壁紧密接触的护板以及盖住所述护板围成的口部的盖板,所述护板远离坩埚的外表面和所述盖板远离坩埚的外表面均设有能与碳反应的涂层,所述涂层的材质为石英、硅粉和硅溶胶中的至少一种,所述石英和所述硅粉中的至少一种经过氧化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西赛维LDK太阳能高科技有限公司,未经江西赛维LDK太阳能高科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610071516.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种氮化物单晶生长装置及方法
- 下一篇:一种多晶硅铸锭方法