[发明专利]残渣除去液、残渣除去方法和半导体设备的制造方法

摘要

本发明提供一种残渣除去液、残渣除去方法和半导体设备的制造方法。该残渣除去液用于除去干蚀刻和/或灰化后半导体基板上的残渣，其含Cu表面保护剂、能与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该液pH为4～9，Cu表面保护剂由选自(1)～(3)中至少一种化合物构成，(1)含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不含3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以下，(2)含有具有式：-N＝C(SH)-X-(X为NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以下，(3)含有具有至少1个氮原子的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以上。

主权项

一种残渣除去液，其用于除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣，其特征在于：含有Cu表面保护剂、能够与Cu(铜)形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该残渣除去液的pH为4～9，其中，Cu表面保护剂由选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种的化合物构成，(1)是含有具有式：＝N‑NH‑所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(2)是含有具有式：‑N＝C(SH)‑X‑(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。