[发明专利]一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/PDVT‑8/N2200等有机聚合物薄膜作为有源层，PMMA/PVP/PVA/PS等有机聚合物薄膜作为绝缘层，PEDOT:PSS/银/银纳米线等作为栅电极。本发明制作的薄膜晶体管阵列，各层均可采用卷对卷或印刷的方式制备，其工艺简单、快速；而源漏电极、器件阵列中各器件及各器件的各功能层的独立均采用激光刻蚀的方式，其操作快速准确，可制作任意图案，且得到的器件沟道及器件尺寸较小，有利于节约成本及大规模生产，该薄膜晶体管阵列有望广泛用于气体传感器、有源主动显示、大规模集成电路及物联网等领域。

主权项

1.一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列为顶栅底接触结构，该薄膜晶体管阵列包括基片及位于所述基片上方的器件阵列，所述器件阵列包括多个通过激光刻蚀于所述基片上且相互独立的器件，所述器件从下往上依次包括有源层、绝缘层、栅电极，所述有源层位于基片上方；所述基片为刻蚀好各器件源漏电极的玻璃/PET，所述有源层为有机聚合物薄膜，所述绝缘层为有机聚合物薄膜；所述器件阵列中各器件均采用激光刻蚀的方式进行独立和隔离，且采用每一功能层材料单独刻蚀的方式，每旋涂一层，用激光刻蚀源漏电极图案范围大小的该层。