[发明专利]一种在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法有效
| 申请号： | 201610074979.6 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105714353B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吕昭平;雷智锋;吴渊;王辉;刘雄军;李睿 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，该方法通过在高熵合金进行表面预处理后进行阳极氧化，改变氧化电压和氧化时间，可以在高熵合金表面生成不同直径，不同厚度的复合氧化物纳米管。制备得到的氧化物纳米管经过高温热处理后，非晶型纳米管晶化，同时纳米管阵列的热稳定性高，高温热处理后仍能保持完好的纳米管阵列形貌。本发明运用高熵合金制备的氧化物纳米管阵列具有更高的热稳定性，能够在更高温度下得到应用，如高温催化，高温气敏性等。因此，本发明生成的复合氧化物纳米管薄膜对拓宽高熵合金的应用将会起到很大的促进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 表面 生成 复合 氧化物 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在高熵合金表面生成复合氧化物纳米管阵列的方法，其特征在于，该方法使用的基体合金为高熵合金，该方法对所述基体合金为高熵合金进行表面预处理、阳极氧化以及后续热处理，首先通过对基体合金表面进行预处理，然后进行阳极氧化在其表面生成规则均匀的复合氧化物纳米管薄膜，再进行高温热处理，将非晶型氧化物膜转化成晶体型氧化物薄膜，同时保持纳米管阵列的完整性。
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