[发明专利]一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管有效
| 申请号： | 201610075444.0 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105514177B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州市梦之谷科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，所述铝面肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，P型阱区包裹的导电填充块能在器件反向耐压时形成有效耗尽，从而减小漏电流，所述肖特基二极管的阴极和阳极管脚分别设于空心棒内，使用时，将空心棒口的橡胶塞去除，阴极和阳极管脚会从空心棒弹出，这种结构能在运输过程中有效的保护管脚，防止管脚折断或折弯。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 硅片层 导电 填充 空心棒 铝面 阴极 二氧化硅层 阴极金属层 阳极管脚 平面式 管脚 反向耐压 运输过程 漏电流 橡胶塞 折断 弹出 减小 折弯 去除 耗尽 | ||
【主权项】：
1.一种铝面低压平面式MOS肖特基二极管，其特征在于，所述铝面低压平面式MOS肖特基二极管包括硅片层、阴极金属层、二氧化硅层、导电填充块和P型阱区，所述硅片层上方连接所述二氧化硅层，所述硅片层下方连接所述阴极金属层，所述硅片层内部设有多个导电填充块，所述导电填充块外侧包裹有所述P型阱区，所述二氧化硅层上设有空心阳极棒，所述空心阳极棒至少部分与所述硅片层连接，所述空心阳极棒内设有第一管脚，所述第一管脚的一端通过第一弹簧连接所述空心阳极棒的内壁，所述阴极金属层上连接有阴极空心棒，所述阴极空心棒内设有第二管脚，所述第二管脚的一端通过第二弹簧连接所述阴极空心棒的内壁。
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