[发明专利]高纯度碳化硅陶瓷制造方法和陶瓷基材有效
| 申请号： | 201610076154.8 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105732044A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 向绍斌;向其军;谭毅成 | 申请（专利权）人： | 深圳市商德先进陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯度碳化硅陶瓷制备方法和陶瓷基材。本发明高纯度碳化硅陶瓷制备方法包括的步骤有：将碳和硅源化合物、载体气体和保护气体通入化学气相沉积反应室内进行碳化硅的沉积反应；其中，所述沉积反应过程中，反应室内压强为40～50kPa，温度为900～1100℃。本发明高纯度碳化硅陶瓷制备方法制备的碳化硅纯度高达99.999％以上，而且致密度高，机械性能好，高耐等离子腐蚀性能，经济成本低。本发明陶瓷基材是由本发明高纯度碳化硅陶瓷的制备方法制备的高纯度碳化硅陶瓷形成。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 碳化硅 陶瓷 制造 方法 基材 | ||
【主权项】：
一种高纯度碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将碳和硅源化合物、载体气体和保护气体通入化学气相沉积反应室内进行碳化硅的沉积反应，经过沉积反应制得碳化硅陶瓷；其中，所述沉积反应过程中，反应室内压强为40～50kPa，温度为900～1100℃。
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