[发明专利]一种籽晶的铺设方法、类单晶硅锭的制备方法和类单晶硅片在审
| 申请号： | 201610076887.1 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105603521A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 何亮;周成;胡动力;雷琦;陈红荣 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，包括以下步骤：提供坩埚，在坩埚底部铺设籽晶，相邻两个籽晶之间留有缝隙，在缝隙中填充导热系数小于籽晶导热系数的低导热材料；低导热材料和籽晶紧密接触铺满坩埚底部得到籽晶层。通过在相邻两个籽晶之间的缝隙中填充有导热系数小于籽晶导热系数的低导热材料，籽晶缝隙中填充有低导热材料，长晶开始时，硅熔体在低导热材料上进行多晶引晶，避免了杂质或者硅熔体进入籽晶缝隙，减少了籽晶缝隙中位错产生。另外，在长晶过程中，籽晶处的晶体生长速度大于缝隙处的晶体生长速度，抑制了缝隙处多晶的生长，该缝隙处的多晶被单晶挤掉，形成单晶晶界。本发明还提供了一种类单晶硅片及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 铺设 方法 单晶硅 制备 | ||
【主权项】：
一种籽晶的铺设方法，用于铸造类单晶，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，相邻两个所述籽晶之间留有缝隙，在所述缝隙中填充导热系数小于所述籽晶导热系数的低导热材料；所述低导热材料和所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部得到籽晶层。
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