[发明专利]横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法有效

申请号：	201610079339.4	申请日：	2016-02-04
公开（公告）号：	CN106992123B	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	王子嵩	申请（专利权）人：	力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/78;H01L21/762
代理公司：	11105 北京市柳沈律师事务所	代理人：	陈小雯
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明公开一种横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法，该横向扩散金属氧化半导体元件的制作方法包括：提供基底，基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层。图案化第二导体层，以形成导体结构。于导体结构的一侧的第一导体层与介电层中形成第一沟槽。以导体结构作为掩模，移除第一导体层与第一沟槽所暴露的部分基底，以形成栅极结构与第二沟槽。于栅极结构的一侧的基底中形成第一导电型的第一阱区。于栅极结构的另一侧的基底中形成第二导电型的第二阱区。于栅极结构的侧壁形成间隙壁，间隙壁填满所述第二沟槽。于栅极结构的两侧的基底中形成漏极区及源极区。
搜索关键词：	横向扩散金属氧化半导体元件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种横向扩散金属氧化半导体元件的制造方法，包括：/n提供基底，所述基底上已依序形成有介电层、第一导体层、粘着层以及第二导体层；/n图案化所述第二导体层，以形成导体结构；/n在所述导体结构的第一侧的所述第一导体层与所述介电层中形成第一沟槽；/n以所述导体结构作为掩模，移除所述第一导体层与所述第一沟槽所暴露的部分所述基底，以同时形成栅极结构与第二沟槽，所述第二沟槽形成于所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中；/n在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成第一导电型的第一阱区；/n在所述栅极结构的第二侧的所述基底中形成第二导电型的第二阱区，其中所述第二侧与所述第一侧相对；/n仅在所述栅极结构的侧壁形成间隙壁，所述间隙壁填满所述第二沟槽；以及/n在所述栅极结构的所述第一侧的所述基底中形成漏极区，并于所述栅极结构的所述第二侧的所述基底中形成源极区。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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