[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610079745.0 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107039520B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁；在栅极结构两侧侧壁形成牺牲侧墙；形成覆盖牺牲侧墙侧壁的第二侧墙，牺牲侧墙和第二侧墙覆盖的鳍部为负遮盖区；在栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙一侧的鳍部中形成源区，在栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙另一侧的鳍部中形成漏区；在半导体衬底和鳍部上形成覆盖第二侧墙侧壁的层间介质层后，去除栅极结构和源区之间的牺牲侧墙，形成开口；形成填充满所述开口的第一侧墙，第一侧墙的介电常数大于第二侧墙的介电常数且大于牺牲侧墙的介电常数。所述方法能减小寄生电容且提升具有驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分鳍部的顶部表面和侧壁；在所述栅极结构两侧侧壁形成牺牲侧墙；形成覆盖所述牺牲侧墙侧壁的第二侧墙，所述牺牲侧墙和第二侧墙覆盖的鳍部为负遮盖区；在所述栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙一侧的鳍部中形成源区，在所述栅极结构、牺牲侧墙和第二侧墙另一侧的鳍部中形成漏区；在所述半导体衬底和所述鳍部上形成覆盖所述第二侧墙侧壁的层间介质层后，去除所述栅极结构和源区之间的牺牲侧墙，形成开口；形成填充满所述开口的第一侧墙，所述第一侧墙的介电常数大于第二侧墙的介电常数且大于牺牲侧墙的介电常数。
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