[发明专利]一种高性能精细化透明导电电极的制备方法有效
| 申请号： | 201610080148.X | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105632652B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 胡彬;方云生;周军 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01L51/00;H01L51/52;G06F3/041 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高性能精细化透明导电电极的制备方法，包括下述步骤(1)通过非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法获得单方向有序排列的金属纳米线阵列，并在与阵列垂直的方向采用所述非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法，获得垂直方向的有序排列的金属纳米线阵列后形成金属纳米线透明导电网络；(2)对金属纳米线透明导电网络进行精细化刻蚀，并在刻蚀时选择与有序排列的金属纳米线平行的方向进行，刻蚀后获得精细化透明导电电极。本发明由于采用了沿着有序化排列的金属纳米线透明导电电极进行刻蚀的方式，能够充分保留沿着刻蚀方向的金属纳米线的完整性，使精细化的透明电极具有更优异更均匀的低电阻性能，从而可以应用于大尺寸高像素的显示或智能触控等对于精细化图案有需求的领域，同时降低器件工作功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 精细 透明 导电 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能精细化透明导电电极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)通过非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法获得单方向有序排列的金属纳米线阵列，并在与阵列垂直的方向采用所述非接触式一维纳米材料阵列的大面积组装方法，获得垂直方向有序排列的金属纳米线阵列，组成的垂直交叉结构构成了金属纳米线透明导电网络；(2)对金属纳米线透明导电网络进行精细化刻蚀，并选择与有序排布的金属纳米线平行的方向作为刻蚀方向，充分保留沿着刻蚀方向的金属纳米线的完整性，刻蚀后获得具有精细结构的透明导电电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610080148.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种绝缘子
- 下一篇：内燃机车预热炉运输车
