[发明专利]功率器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201610082487.1 申请日: 2016-02-05
公开(公告)号: CN107046010B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 张晓天;雪克·玛力卡勒强斯瓦密;牛志强;胡照群;何约瑟 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 董科
地址: 美国加利福尼亚州940*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及到一种可实现电压切换的电源管理装置,尤其是涉及到低端MOSFET晶片和高端MOSFET晶片并集成控制IC的电压转换装置及其制备方法。一个第一晶片倒装在第一安装区域,第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接;一个第二晶片倒装在第二安装区域,第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接;一个导电结构连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间,一个塑封体覆盖在基板正面,将第一、第二晶片和导电结构包覆在内。
搜索关键词: 功率 器件 制备 方法
【主权项】:
1.一种功率器件,其特征在于,包括:一个基板及定义在其正面的第一和第二安装区域,其中在该基板的正面设置有一个结合垫及在该基板的背面设置有一个第一金属焊垫和多个引脚垫,并且还在基板上设置有多条布线以及有贯穿基板的多个互连结构;布局在第一安装区域的一部分焊盘和布局在第二安装区域的一部分焊盘通过布线连接,第一安装区域的一部分焊盘通过互连结构连接到第一金属焊垫上,第二安装区域的一部分焊盘通过布线和互连结构连接到引脚垫上;一个倒装在第一安装区域的第一晶片,第一晶片正面的金属衬垫与位于第一安装区域的焊盘对接;一个倒装在第二安装区域的第二晶片,第二晶片正面的金属衬垫与位于第二安装区域的焊盘对接;连接在结合垫和第一晶片背面的金属层之间的导电结构,以及覆盖在基板正面的一个将第一、第二晶片和导电结构包覆在内的塑封体;第一安装区域布局有第一、第二套焊盘,第二安装区域布局有第三至第六套焊盘;其中第三套焊盘中的一部分焊盘与第一套焊盘中一个或多个焊盘电连接,第三套焊盘中还有一部分焊盘与第二套焊盘中一个或多个焊盘电连接;第四套焊盘中一个或多个焊盘通过布线和埋设在基板内的互连结构一对一地电连接到一个或多个引脚垫上;第五套焊盘中的每一个焊盘都通过基板上的布线与结合垫电连接,并且结合垫经由埋设在基板内的互连结构电连接到一个或多个引脚垫;以及第六套焊盘中的每一个焊盘都通过基板上的布线和设在基板内的互连结构一对一地电连接到一个或多个引脚垫。
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