[发明专利]一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法有效
申请号: | 201610083290.X | 申请日: | 2016-02-06 |
公开(公告)号: | CN105609652B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 姚冀众;颜步一 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 浙江一墨律师事务所33252 | 代理人: | 陈红珊 |
地址: | 311121 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法,所述发光二极管由表层向里层依次包括透明基底层、透明导电电极、电子阻挡层或空穴阻挡层、钙钛矿吸光层、空穴阻挡层或电子阻挡层以及金属导电层,钙钛矿吸光层包括溴化铅络合物,溴化铅络合物是将无水溴化铅粉末与二甲基亚矾溶剂、或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂、或甲胺的四氢呋喃溶液相混合,使得PbBr2粉末完全溶解于二甲基亚矾溶剂、或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂、或甲胺的四氢呋喃溶液中,再加入氯苯溶剂搅拌混合后静置,并经过过滤后得到的析出物。本发明降低了CH3NH3PbBr3‑nYn晶体转化条件,减少PbBr2杂质残留,提高薄膜的平整度,提高钙钛矿层薄膜的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 钙钛矿 材料 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法,所述发光二极管由表层向里层依次包括透明基底层、透明导电电极、电子阻挡层或空穴阻挡层、钙钛矿吸光层、空穴阻挡层或电子阻挡层以及金属导电层,其特征在于,包括在所述电子阻挡层或空穴阻挡层上沉积钙钛矿吸光层的方法,整个沉积过程在纯氮气环境中进行,环境气压为1~2大气压,环境温度为20~30摄氏度,所述沉积方法主要包括以下步骤:第一步,溶解、合成络合物,在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下,将无水溴化铅粉末与二甲基亚矾或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合,搅拌5~10分钟,使得无水溴化铅粉末完全溶解于二甲基亚矾溶剂或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,得到溶液A;或者,在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下,将无水溴化铅粉末与甲胺的四氢呋喃溶液按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合,搅拌5~10分钟,使得无水溴化铅粉末完全溶解于甲胺的四氢呋喃溶液中,得到溶液A;其中,所述无水溴化铅粉末、化学通式为PbBr2;第二步,将所述溴化铅络合物溶解于N,N‑二甲基甲酰胺溶剂,搅拌5~10分钟,得到溶液B,溶液B的浓度为0.05~0.5摩尔/升;第三步,将甲基溴化铵按照30~60mg/mL的质量/体积比例溶解于异丙醇溶剂中(简称IPA)形成溶液C;第四步,将溶液B加热到60~80摄氏度并保持不断搅拌;第五步,取适量加热到60~80摄氏度的溶液B,迅速均匀涂抹在电子阻挡层或空穴阻挡层的表面,涂抹的方式包括但不限于旋涂、刀片刮涂、棒式涂布、夹缝式挤压型涂布、喷涂、喷墨印刷中至少一种;第六步,在涂抹溶液B形成的薄膜上再涂抹溶液C;第七步,然后,将涂抹了溶液B和C的薄膜在70~100摄氏度下加热10~120分钟,形成钙钛矿吸光层,即半导体发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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