[发明专利]一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610083290.X 申请日: 2016-02-06
公开(公告)号: CN105609652B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 姚冀众;颜步一 申请(专利权)人: 杭州纤纳光电科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 浙江一墨律师事务所33252 代理人: 陈红珊
地址: 311121 浙江省杭州市余杭*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法,所述发光二极管由表层向里层依次包括透明基底层、透明导电电极、电子阻挡层或空穴阻挡层、钙钛矿吸光层、空穴阻挡层或电子阻挡层以及金属导电层,钙钛矿吸光层包括溴化铅络合物,溴化铅络合物是将无水溴化铅粉末与二甲基亚矾溶剂、或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂、或甲胺的四氢呋喃溶液相混合,使得PbBr2粉末完全溶解于二甲基亚矾溶剂、或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂、或甲胺的四氢呋喃溶液中,再加入氯苯溶剂搅拌混合后静置,并经过过滤后得到的析出物。本发明降低了CH3NH3PbBr3‑nYn晶体转化条件,减少PbBr2杂质残留,提高薄膜的平整度,提高钙钛矿层薄膜的发光效率。
搜索关键词: 一种 基于 钙钛矿 材料 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于钙钛矿材料的发光二极管的制备方法,所述发光二极管由表层向里层依次包括透明基底层、透明导电电极、电子阻挡层或空穴阻挡层、钙钛矿吸光层、空穴阻挡层或电子阻挡层以及金属导电层,其特征在于,包括在所述电子阻挡层或空穴阻挡层上沉积钙钛矿吸光层的方法,整个沉积过程在纯氮气环境中进行,环境气压为1~2大气压,环境温度为20~30摄氏度,所述沉积方法主要包括以下步骤:第一步,溶解、合成络合物,在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下,将无水溴化铅粉末与二甲基亚矾或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合,搅拌5~10分钟,使得无水溴化铅粉末完全溶解于二甲基亚矾溶剂或N,N‑二甲基甲酰胺溶剂中,得到溶液A;或者,在20~25摄氏度室温和标准大气压的条件下,将无水溴化铅粉末与甲胺的四氢呋喃溶液按照配比为4~6 mg对应10~100mL的比例混合,搅拌5~10分钟,使得无水溴化铅粉末完全溶解于甲胺的四氢呋喃溶液中,得到溶液A;其中,所述无水溴化铅粉末、化学通式为PbBr2;第二步,将所述溴化铅络合物溶解于N,N‑二甲基甲酰胺溶剂,搅拌5~10分钟,得到溶液B,溶液B的浓度为0.05~0.5摩尔/升;第三步,将甲基溴化铵按照30~60mg/mL的质量/体积比例溶解于异丙醇溶剂中(简称IPA)形成溶液C;第四步,将溶液B加热到60~80摄氏度并保持不断搅拌;第五步,取适量加热到60~80摄氏度的溶液B,迅速均匀涂抹在电子阻挡层或空穴阻挡层的表面,涂抹的方式包括但不限于旋涂、刀片刮涂、棒式涂布、夹缝式挤压型涂布、喷涂、喷墨印刷中至少一种;第六步,在涂抹溶液B形成的薄膜上再涂抹溶液C;第七步,然后,将涂抹了溶液B和C的薄膜在70~100摄氏度下加热10~120分钟,形成钙钛矿吸光层,即半导体发光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州纤纳光电科技有限公司,未经杭州纤纳光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610083290.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top