[发明专利]一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法有效
| 申请号： | 201610084235.2 | 申请日： | 2016-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105762065B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02;C23C16/44;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在第一温度下，在所述衬底一表面外延生长第一氮化物层；(c)中止生长，降温，通入氯气刻蚀；(d)在第二温度下，在所述第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，所述第一温度大于所述第二温度；(e)中止生长，升温，通入氯气刻蚀；(f)在所述第一温度下，在所述第二氮化物层表面外延生长第一氮化物层；(g)循环进行步骤(c)～(f)，形成周期性的氮化物层。本发明的优点在于，缓解氮化物与衬底间存在的晶格不匹配及热失配等问题，有效释放应力，避免外延层裂纹的产生，还能够获得低位错密度、高晶体质量的氮化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 质量 氮化物 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(a)提供一衬底；/n(b)在第一温度下，在所述衬底一表面外延生长第一氮化物层；/n(c)中止生长，降温，同时通入氯气刻蚀；/n(d)在第二温度下，在所述第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，所述第一温度大于所述第二温度；/n(e)中止生长，升温，同时通入氯气刻蚀；/n(f)在所述第一温度下，在所述第二氮化物层表面外延生长第一氮化物层；/n(g)循环进行步骤(c)～(f)，形成周期性的氮化物层。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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