[发明专利]具有输出补偿的半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610085861.3 申请日: 2016-02-15
公开(公告)号: CN106843347B 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 杨宜山 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种具有输出补偿的半导体装置,该半导体装置包括放大器、通过晶体管、补偿电路与偏压产生电路。放大器具有输出端。通过晶体管具有栅极与输出端,栅极耦接至放大器的输出端,通过晶体管的输出端耦接至负载。补偿电路耦接于放大器的输出端与通过晶体管的输出端之间。补偿电路的阻抗可变。偏压产生电路耦接于通过晶体管的输出端与补偿电路之间。
搜索关键词: 具有 输出 补偿 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:一放大器,具有一输出端;一通过晶体管,具有一栅极与一输出端,该栅极耦接至该放大器的该输出端,该通过晶体管的该输出端耦接至一负载;一补偿电路,耦接于该放大器的该输出端与该通过晶体管的该输出端之间,该补偿电路的阻抗可变;以及一偏压产生电路,耦接于该通过晶体管的该输出端与该补偿电路之间;其中,该补偿电路包括一可变阻抗装置,该可变阻抗装置包括一可变电阻,该可变电阻包括一补偿晶体管;该偏压产生电路包括为二极管连接架构的一信号产生晶体管,该信号产生晶体管的一栅极与一源极或一漏极之一被耦合至该补偿晶体管的栅极,且该信号产生晶体管的源极或漏极的另一耦合至该补偿晶体管的源极;该偏压产生电路耦接于该补偿晶体管的栅极与源极之间,产生补偿控制信号以根据所感应的负载电流而调整该补偿晶体管的阻抗。
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