[发明专利]一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体及其生长方法

摘要

本发明公开一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体，具有以下化学式组成：V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂，其中0<x≤0.02，0<y≤0.015。本发明还公开上述自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体生长方法，包括如下步骤：将含钒化合物、含钕化合物、含钇化合物、含铝化合物混合均匀后，进行压制得到化学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料；将化学式为V_5xNd_3yY_3(1-y)Al_5(1-x)O₁₂的晶体生长初始原料加热至熔融状态得到晶体生长熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体。本发明具有调Q和激光增益双重功能。

主权项

一种自饱和吸收调Q钇铝石榴石激光晶体，其特征在于，具有以下化学式组成：V_5xNd_3yY_3(1‑y)Al_5(1‑x)O₁₂，其中0<x≤0.02，0<y≤0.015。