[发明专利]一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法有效
| 申请号： | 201610088127.2 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105551994B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈精纬;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，包括在硅片中形成N阱，沉积隧穿氧化层并退火，沉积浮栅层及氮化硅层，通过光刻及干法刻蚀形成浅槽隔离沟槽并填充氧化层，通过湿法刻蚀去除部分氧化层形成浅槽隔离结构，采用热磷酸去除氮化硅层并沉积栅极层，通过光刻及干法刻蚀形成场效应管器件及形成侧墙和电极，对完成的测试器件进行隧穿氧化层可靠性测试，可以在短时间内快速验证隧穿氧化层的质量，得到实验反馈结果，并可在反馈结果上继续改进，从而大大缩短了工艺反馈时间及研发周期，有效加快了工艺开发速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 验证 闪存 储器隧穿 氧化 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种验证快闪存储器隧穿氧化层可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：在硅片中通过离子注入形成N阱，然后在硅片上沉积隧穿氧化层并退火，接着沉积浮栅层及氮化硅层；步骤S02：通过光刻及干法刻蚀在硅片中形成浅槽隔离沟槽；步骤S03：进行浅槽隔离沟槽的氧化层填充；步骤S04：通过湿法刻蚀去除部分氧化层，停止在浮栅层，形成浅槽隔离结构；步骤S05：采用热磷酸去除氮化硅层，并沉积栅极层；步骤S06：通过光刻及干法刻蚀形成场效应管器件；步骤S07：形成侧墙；步骤S08：在有源区表面形成电极，完成测试器件制备；步骤S09：对测试器件进行隧穿氧化层可靠性测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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