[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置在审
| 申请号： | 201610089138.2 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107090573A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 杨玉杰;罗建恒;耿波;张同文 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括分别呈环状曲线的第一磁极和第二磁极，第一磁极和第二磁极极性相反，第一磁极和第二磁极相互嵌套且相互之间形成磁场，第一磁极和第二磁极之间形成的间隔区域的宽度为第一间距，第一间距能使沉积在基片上的膜层厚度均匀性不大于3％。该磁控元件通过使靶材中心区域溅射时入射粒子分布密度的减小程度明显大于靶材边缘区域溅射时入射粒子分布密度的减小程度，从而使靶材中心区域在溅射时的腐蚀速率的减慢程度明显大于靶材边缘区域在溅射时的腐蚀速率的减慢程度，从而使溅射后沉积在基片上的膜层的中心区域的厚度与边缘区域的厚度趋于一致，进而使沉积膜层的厚度均匀性不大于3％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元件 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控元件，包括分别呈环状曲线的第一磁极和第二磁极，所述第一磁极和所述第二磁极极性相反，所述第一磁极和所述第二磁极相互嵌套且相互之间形成磁场，其特征在于，所述第一磁极和所述第二磁极之间形成的间隔区域的宽度为第一间距，所述第一间距能使沉积在基片上的膜层厚度均匀性不大于3％。
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