[发明专利]用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路

摘要

本发明公开了一种用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，具体为在其传统的时钟控制电路中增设一个电源转换电路，该电源转换电路连接在时钟控制电路的复制单元和传输链之间，该电源转换电路由第二PMOS管和NMOS管组成；第二PMOS管的源极连电源，NMOS管的源极接地；第二PMOS管的栅极和NMOS管的栅极构成电源转换电路的转换控制信号输入端；第二PMOS管的漏极和NMOS管的漏极构成电源转换电路的输出端，并别与复制单元和传输链的虚拟电源连接。本发明降低了NBTI效应对嵌入式存储器控制电路中关键PMOS管的影响，使得嵌入式存储器控制电路能够长时间稳定工作，并能够提高芯片的可靠性指标。

主权项

用于改善存储器控制电路负偏压温度不稳定性的恢复电路，包括一个时钟控制电路、一个灵敏放大器（SA）以及由若干个内嵌式存储单元（MC）组成的存储器，所述时钟控制电路包含有由5个反相器（E1，E2，E3，E4，E5）组成的传输链（1）、若干个复制单元（RC）以及第一PMOS管（P1）、或非门（B2）、与非门（D3）和4个反相器（B1，D1，D2，D4），其特征在于：在所述时钟控制电路中设有一个电源转换电路，所述电源转换电路连接在所述复制单元（RC）和所述传输链（1）之间，所述电源转换电路由第二PMOS管（SP）和NMOS管（SN）组成；所述第二PMOS管（SP）的源极与电源（VDD）连接，所述NMOS管（SN）的源极接地（GND）；所述第二PMOS管（SP）的栅极和所述NMOS管（SN）的栅极构成所述电源转换电路的转换控制信号输入端（RM）；所述第二PMOS管（SP）的漏极和所述NMOS管（SN）的漏极构成所述电源转换电路的输出端，所述电源转换电路的输出端分别与每个所述复制单元（RC）和所述传输链（1）的虚拟电源（VVDD）连接。