[发明专利]一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺在审
申请号: | 201610090854.2 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN105633213A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 杨波;黄亚萍;颜培培;杨道祥 | 申请(专利权)人: | 安徽旭能光伏电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 239500 安徽省滁州市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺,所述钝化处理工艺步骤如下:制绒、扩散、刻边、初次钝化、二次钝化和热处理,本发明采用二氧化硅氧化层和氮化铝钝化层的结构,提高太阳能电池板的转化率,提高使用率,且氧化层和钝化层相结合的结构避免了出现单一性缺点,提高太阳能电池板的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 玻璃 晶体 太阳能电池 表面 钝化 处理 工艺 | ||
【主权项】:
一种双面玻璃晶体硅太阳能电池表面钝化处理工艺,其特征在于:所述钝化处理工艺步骤如下:第一步:制绒,对晶体硅采用化学溶液进行腐蚀,去除晶体硅表面的杂质损伤层,且形成陷光绒面结构;第二步:扩散,对经过制绒处理的晶体硅进行高温P扩散处理,扩散后方块电阻为70 ~90Ω;第三部:刻边,刻蚀晶体硅片的边结;第四步:初次钝化,将刻蚀后的晶体硅片内置于密封80‑120°C高温环境下,通入氧气进行氧化处理,使晶体硅片表面形成氧化层;第五步:二次钝化,采用磁控溅技术,以Al作为靶材,NH4作为反应气源,惰性气体作为等离子体增强气,在初次钝化的晶体硅片表面沉积AlN薄膜作为钝化层;第六步:热处理,将二次钝化后的晶体硅片内置于120‑150°C高温密封环境下加热3‑5分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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