[发明专利]紧凑芯片中的长半导体激光腔在审
| 申请号： | 201610091174.2 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN105514800A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | A·贝法尔;C·斯塔盖瑞斯库 | 申请（专利权）人： | 宾奥普迪克斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。 | ||
| 搜索关键词： | 紧凑 芯片 中的 半导体 激光 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，包括：具有限定了所述芯片的长度的长度的基底；在所述基底上的第一外延激光器结构；由波导在所述第一外延激光器结构中形成的第一激光腔；所述波导选自包括脊波导和掩埋异质结构(BH)波导的组；所述腔具有大于所述芯片长度的长度；所述腔具有被蚀刻的前输出腔面和被蚀刻的后腔面；以及其中所述腔的至少一部分是沿着所述芯片的外围周边形成的。
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