[发明专利]基于版图邻近效应的统计模型的建模方法有效
| 申请号： | 201610093994.5 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105760604B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘林林;郭奥 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于版图邻近效应的统计模型的建模方法，包括：建立MOS器件的基础模型；根据所要采用的LPE效应的种类，针对不同尺寸器件变换LPE效应对应的版图因子，生成对应的非标准版图；对上述各非标准版图器件进行Mapping测试，得到阈值电压和漏极电流的各测试值并计算其均值，基于均值建立由LPE效应带来的器件性能指标偏移的LPE模型；根据上述的Mapping测试得到的测试值，求取阈值电压和漏极电流的统计分布；根据所采用的LPE效应的种类，修正基础模型中阈值电压和迁移率参数及其bin参数的标准差参数，建立考虑LPE效应带来的器件性能波动的MOS器件统计模型。本发明针对不同的LPE效应可独立分析和建模，使模型拟合的过程清晰和快速。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 版图 邻近 效应 统计 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于版图邻近效应的统计模型的建模方法，其特征在于，包括：步骤01：建立MOS器件的基础模型；所述基础模型为基于基准版图的MOS器件测试值建立的MOS统计模型；步骤02：根据所要采用的LPE效应的种类，针对不同尺寸器件变换所述LPE效应对应的版图因子，生成对应的非标准版图；步骤03：对上述各非标准版图器件进行Mapping测试，得到阈值电压和漏极电流的各测试值并计算其均值，基于均值建立由LPE效应带来的器件性能指标偏移的LPE模型；步骤04：根据上述的Mapping测试得到的测试值，求取阈值电压和漏极电流的统计分布；步骤05：根据所采用的LPE效应的种类，修正基础模型中阈值电压和迁移率参数及上述阈值电压和迁移率参数分别对应的bin参数的标准差参数，建立考虑LPE效应带来的器件性能波动的MOS器件统计模型。
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