[发明专利]纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置有效

专利信息
申请号: 201610094661.4 申请日: 2016-02-19
公开(公告)号: CN106653793B 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 潘曹峰;鲍容容;王春枫;董林 申请(专利权)人: 北京纳米能源与系统研究所
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 谢鑫;肖冰滨
地址: 100083 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及微纳能源技术领域,公开了一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置。其中,该纳米发光阵列包括:衬底;下部电极,形成在所述衬底上;纳米发光控制层,形成在所述下部电极上;有机发光层,形成在所述纳米发光控制层上;以及上部电极,形成在所述有机发光层上。通过使用本发明上述的纳米发光阵列及纳米发光装置,纳米发光控制层能够得到在该层上所施加的应力信息,从而可以快速地对所施加的应力做出反应,进而实现对有机发光层的发光强度的调节。
搜索关键词: 纳米 发光 阵列 及其 制造 方法 以及 装置
【主权项】:
1.一种纳米发光阵列,其中,该纳米发光阵列包括:衬底;下部电极,形成在所述衬底上;纳米发光控制层,形成在所述下部电极上;有机发光层,形成在所述纳米发光控制层上,所述纳米发光控制层对该有机发光层进行发光控制;以及上部电极,形成在所述有机发光层上,其中,所述衬底为柔性透明衬底或刚性透明衬底;以及所述纳米发光控制层包括纳米线或纳米棒阵列和通过在所述纳米线或纳米棒阵列的间隙中填充透明介电材料形成的介电材料层,其中所述纳米线或纳米棒阵列的材料为压电材料。
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