[发明专利]纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置有效
申请号: | 201610094661.4 | 申请日: | 2016-02-19 |
公开(公告)号: | CN106653793B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 潘曹峰;鲍容容;王春枫;董林 | 申请(专利权)人: | 北京纳米能源与系统研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 谢鑫;肖冰滨 |
地址: | 100083 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及微纳能源技术领域,公开了一种纳米发光阵列及其制造方法以及纳米发光装置。其中,该纳米发光阵列包括:衬底;下部电极,形成在所述衬底上;纳米发光控制层,形成在所述下部电极上;有机发光层,形成在所述纳米发光控制层上;以及上部电极,形成在所述有机发光层上。通过使用本发明上述的纳米发光阵列及纳米发光装置,纳米发光控制层能够得到在该层上所施加的应力信息,从而可以快速地对所施加的应力做出反应,进而实现对有机发光层的发光强度的调节。 | ||
搜索关键词: | 纳米 发光 阵列 及其 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种纳米发光阵列,其中,该纳米发光阵列包括:衬底;下部电极,形成在所述衬底上;纳米发光控制层,形成在所述下部电极上;有机发光层,形成在所述纳米发光控制层上,所述纳米发光控制层对该有机发光层进行发光控制;以及上部电极,形成在所述有机发光层上,其中,所述衬底为柔性透明衬底或刚性透明衬底;以及所述纳米发光控制层包括纳米线或纳米棒阵列和通过在所述纳米线或纳米棒阵列的间隙中填充透明介电材料形成的介电材料层,其中所述纳米线或纳米棒阵列的材料为压电材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京纳米能源与系统研究所,未经北京纳米能源与系统研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610094661.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:浸胶烤箱的余热回收装置
- 下一篇:网带式风冷机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的