[发明专利]刻蚀图案套印高精度对位方法及装置有效
| 申请号： | 201610095279.5 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN105895734B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 丁志强;肖新民;祁宏山 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/68 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀图案套印高精度对位方法，包括下述步骤S1提供硅片和浆料载体；S2视觉识别系统拍摄硅片的图片；S3在图片上选取固定位置的ROI区域，通过垂直投影方法，获得一组ROI区域内的数据，通过离散数据曲线平滑算法对数据进行预处理，计算得出波峰的位置和线宽；S4比对ROI区域内掩膜线的线宽与波峰的宽度，计算得出掩膜线图案的角度；S5通过运动装置旋转硅片相应的角度和位置，使掩膜线的图案和浆料载体图案重合；S6激光作用到浆料载体上，浆料最终作用到掩膜线的图案位置。同时，本发明还公开了一种刻蚀图案套印高精度对位装置。本发明提高了刻蚀图案与电极图案对位的精准度，提高了电池片的效率，节省了掩膜成本。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 图案 套印 高精度 对位 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种刻蚀图案套印高精度对位方法，包括下述步骤：S1：提供硅片和浆料载体；S2：视觉识别系统拍摄硅片的图片；S3：在图片上选取固定位置的ROI（感兴趣区域）区域，通过垂直投影方法，获得一组ROI区域内的数据，通过离散数据曲线平滑算法对数据进行预处理，计算得出波峰的位置和线宽；S4：比对ROI区域内掩膜线的线宽与波峰的宽度，计算得出掩膜线图案的角度；S5：通过运动装置旋转硅片相应的角度和位置，使掩膜线的图案和浆料载体图案重合；S6：激光作用到浆料载体上，浆料最终作用到掩膜线的图案位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
