[发明专利]晶体硅太阳能电池制造工艺在审
| 申请号： | 201610096043.3 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN105514221A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈怀之;王刚;聂海涛;张仁友;胡国波 | 申请（专利权）人： | 成都振中电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶体硅太阳能电池制造工艺，所述工艺包括：步骤1：将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；步骤2：进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；步骤3：进行周边刻蚀，然后去除背结；步骤4：进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；步骤5：进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档，实现了工艺简单，生产成本较低、电池板质量较好的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 制造 工艺 | ||
【主权项】：
晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述工艺包括：步骤1：将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；步骤2：进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；步骤3：进行周边刻蚀，然后去除背结；步骤4：进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；步骤5：进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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